儀器配置       

1    硬件：主機(jī)壹臺(tái)，含下列主要部件： 

(1)   X光管                 (2) 半導(dǎo)體探測(cè)器

(3) 放大電路                (4) 高精度樣品移動(dòng)平臺(tái)

(5) 高清晰攝像頭            (6) 高壓系統(tǒng)

(7) 上照、開(kāi)放式樣品腔      (8）雙激光定位

(9) 玻璃屏蔽罩

x射線光譜分析儀，鍍層測(cè)厚儀參數(shù)規(guī)格

1．分析元素范圍：硫（S）～鈾（U）； 
2.同時(shí)檢測(cè)元素：多24個(gè)元素，多達(dá)5層鍍層；
3.分析含量：一般為2ppm到99.9%；
4.鍍層厚度：一般在50μm以?xún)?nèi)（每種材料有所不同）；
5.SDD探測(cè)器：分辨率低至135eV；
6.*微孔準(zhǔn)直技術(shù)：小孔徑達(dá)0.1mm,小光斑達(dá)0.1mm；
7.樣品觀察：配備全景和局部?jī)蓚€(gè)工業(yè)高清攝像頭； 
8.準(zhǔn)直器：0.3×0.05mm、Ф0.1mm、Ф0.2mm與Ф0.3mm四種準(zhǔn)直器組合； 
9.儀器尺寸：690（W）x 575（D）x 660（H）mm；
10.樣品室尺寸：520（W）x 395（D）x150（H）mm；
11.樣品臺(tái)尺寸：393（W）x 258 （D）mm；
12.X/Y/Z平臺(tái)移動(dòng)速度：額定速度200mm/s 速度333.3mm/s；
13.X/Y/Z平臺(tái)重復(fù)定位精度：小于0.1um；

x射線光譜分析儀，鍍層測(cè)厚儀性能特點(diǎn)

1.精密的三維移動(dòng)平臺(tái)； 
2.的樣品觀測(cè)系統(tǒng)； 
3.*圖像識(shí)別； 
4.輕松實(shí)現(xiàn)深槽樣品的檢測(cè)； 
5.四種微孔聚焦準(zhǔn)直器，自動(dòng)切換； 
6.雙重保護(hù)措施，實(shí)現(xiàn)無(wú)縫防撞； 
7.采用大面積高分辨率探測(cè)器，有效降低檢出限，提高測(cè)試精度。

安裝要求：

1   環(huán)境溫度要求：15℃-30℃

2   環(huán)境相對(duì)濕度：<70%

3   工作電源：交流220±5V

4   周?chē)荒苡袕?qiáng)電磁干擾。